InGaAs 盖革模式雪崩光电二极管 T08封装、集成制冷型 高探测效率、低暗计数率
InGaAs 盖革模式雪崩光电二极管 T08封装、集成制冷型
产品介绍
P08G1F001、P08G2F001 InGaAs 雪崩光电二极管(APD)是短波近红外单光子检测的专用器件,可满足量子通信保密、弱光探测等领域对高效率低噪声单光子检测的技术需求,实现对0.9 ~ 1.7μm 波长的单光子探测。
产品特点
光谱响应范围 0.9 ~ 1.7μm
高探测效率、低暗计数率
T08封装,集成制冷型
具备高温及常温型号,适用范围广
应用领域
弱光探测
量子保密通信
生物医疗